Новые электронные устройства, такие как сенсорные экраны, гибкие дисплеи, печатная электроника, фотоэлектрическая энергия или твердотельное освещение, привели к быстрому увеличению роста рынка гибких, прозрачных электрических проводников. Наши читатели уже знают, что ITO (оксид индия и олова) уже давно перестал быть решением. Кроме того, спрос на графен в качестве заменителя ITO резко вырос в последние годы. Последние достижения в области синтеза и характеристики графена показывают, что он интересен для многих электронных приложений в качестве прозрачного проводника.

Поскольку графен доказал свою полезность в этой области, изыскиваются все более масштабируемые возможности высококачественного и в то же время недорогого метода производства. В следующей таблице перечислены наиболее важные методы синтеза графена на сегодняшний день.| Метод синтеза| Принцип| |----|----| | Механическое отшелушивание| С помощью клейкой пленки снимите верхний слой кристалла графита и перенесите его на подходящий носитель| | Химическое отшелушивание | Путем интеркаляции подходящих реагентов между отдельными слоями кристалла графита получают графеновые чешуйки в растворе с помощью ультразвуковой обработки | | Восстановление оксида графена | Расслоение оксида графита в воде до оксида графена с последующим химическим восстановлением для удаления оксигенированных групп | | Эпитаксиальный рост на карбиде кремния | Термическое разложение кристалла карбида кремния при температуре около 1000 градусов C. | | Изоляция фаз смешанного газа (CVD) | Каталитическое разложение газообразного источника углерода (например, метана) до монослоев графена на металлической основе (Cu или Ni) |

Кстати, CVD (химическое осаждение из паровой фазы) является одним из самых интересных методов синтеза графена (см. таблицу ниже), поскольку он дает почти идеальный графен.| Графеновый материал | Электр. Фактор| Прозрачность| |----|----|----| | CVD-G|280 Ω/кв.м.| 80%| | CVD-G|350 Ω/кв.|90%| | CVD-G|700 Ω/кв.|80%|При таком способе синтеза результирующая прозрачность при низком электрическом сопротивлении была достаточно высокой (80%).