מכשירים אלקטרוניים חדשים כגון מסכי מגע, צגים גמישים, אלקטרוניקה להדפסה, פוטו-וולטאים או תאורת מצב מוצק הובילו לגידול מהיר בצמיחת השוק של מוליכי חשמל גמישים ושקופים. הקוראים שלנו כבר יודעים כי ITO (תחמוצת בדיל אינדיום) כבר מזמן חדל להיות פתרון. כמו כן, כי הביקוש לגרפן כתחליף ITO עלה בחדות בשנים האחרונות. ההתקדמות האחרונה בסינתזה ובאפיון של גרפן מראה כי הוא מעניין עבור יישומים אלקטרוניים רבים כמוליך שקוף.

בגלל גרפן הוכיח להיות שימושי בתחום זה, יותר ויותר אפשרויות מדרגיות של באיכות גבוהה באותו זמן זול שיטת הייצור מבוקשים. הטבלה הבאה מפרטת את שיטות הסינתזה החשובות ביותר עבור גרפן עד כה.| שיטת הסינתזה | עיקרון| |----|----| | פילינג מכני | בעזרת סרט הדבקה מקלפים את השכבה העליונה של גביש גרפיט ומעבירים למנשא מתאים| | פילינג כימי | על ידי אינטרקלציה של ריאגנטים מתאימים בין שכבות בודדות של גביש גרפיט, פתיתי גרפן מתקבלים בתמיסה בעזרת טיפול קולי| | הפחתת תחמוצת גרפן | פילינג של תחמוצת גרפיט במים לתחמוצת גרפן, ואחריו חיזור כימי להסרת קבוצות מחומצנות| | גידול אפיטקסיאלי על סיליקון קרביד| פירוק תרמי של גביש סיליקון קרביד בטמפרטורה של כ-1000 מעלות צלזיוס. | בידוד פאזות גז מעורב (CVD)| פירוק קטליטי של מקור פחמן גזי (למשל מתאן) לחד-שכבות גרפן על תמיכה מתכתית (Cu או Ni)|

אגב, CVD (שקיעת אדים כימיים) היא אחת השיטות המעניינות ביותר של סינתזת גרפן (ראה טבלה להלן) מכיוון שהיא מייצרת גרפן כמעט מושלם.| חומר גרפן | אלקטר. פקטור| שקיפות| |----|----|----| | CVD-G|280 Ω/מ"ר | 80%| | CVD-G|350 Ω/מ"ר|90%| | CVD-G|700 Ω/מ"ר|80%|בשיטת סינתזה זו, השקיפות שהתקבלה עם התנגדות חשמלית נמוכה הייתה גבוהה למדי (80%).