গ্রাফিন হ'ল বৃহত অঞ্চলের নমনীয় ইলেকট্রনিক্সের জন্য নতুন বিস্ময়কর উপাদান। বিশেষত শক্ত এবং স্থিতিস্থাপক, কারণ এটি হীরা, কয়লা বা পেন্সিল লিডের গ্রাফাইটের রাসায়নিক আপেক্ষিক - কেবল মাত্র ভাল, কারণ এটি বিদ্যুৎ এবং তাপ অত্যন্ত ভালভাবে পরিচালনা করে এবং অত্যন্ত নমনীয়। উপরন্তু, শুধুমাত্র একটি পারমাণবিক স্তর সহ, এটি মহাবিশ্বের সবচেয়ে পাতলা উপকরণগুলির মধ্যে একটি - এক মিলিমিটার পুরু এক মিলিয়নেরও কম। এবং তাই অসংখ্য সম্ভাব্য অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।

যাইহোক, প্রায়শই এই অ্যাপ্লিকেশনটির জন্য প্রমাণিত উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির অভাব রয়েছে। যাইহোক, গ্রাফিনের বৃহত আকারের সংশ্লেষণের জন্য ইতিমধ্যে বিভিন্ন পদ্ধতি রয়েছে। রাসায়নিক বাষ্প জমা আশাব্যঞ্জক বলে প্রমাণিত হয়েছে। প্রারম্ভিক উপাদান, কার্বোনেসিয়াস গ্যাস (তথাকথিত অগ্রদূত), একটি স্তর অতিক্রম করে এবং রাসায়নিকভাবে পচে যায়, যার মাধ্যমে গ্রাফিন একটি সলিড-স্টেট ফিল্ম হিসাবে জমা হয়, অর্থাৎ একটি নতুন স্তর গঠিত হয়।

তথাকথিত পূর্বসূরীরা সাধারণত তাপীয়ভাবে বিচ্ছিন্ন হয়। স্তর গরম করে। যাইহোক, এটি সীমাবদ্ধতার দিকে পরিচালিত করে যে এটি অবশ্যই একটি স্তর হতে হবে যা তাপ লোড সহ্য করতে পারে। যাইহোক, এই নেতিবাচক প্রভাবগুলি হ্রাস করার জন্য এখন সিভিডি পদ্ধতির বিভিন্ন রূপ রয়েছে।

এখানে সাধারণ সিভিডি পদ্ধতিগুলির একটি সংক্ষিপ্ত ওভারভিউ রয়েছে।

• এপিসিভিডি: বায়ুমণ্ডলীয় চাপ সিভিডি। এখানে, সাধারণ কাজের তাপমাত্রা 400-1300 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড
• এলপিসিভিডি: লো প্রেসার সিভিডি। এখানে, সাধারণ কাজের তাপমাত্রা 500-1000 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড
• পিইসিভিডি: প্লাজমা বর্ধিত সিভিডি। এখানে, সাধারণ কাজের তাপমাত্রা 200-500 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড
• এএলডি: পারমাণবিক স্তর জমা। একটি চক্রীয় প্রক্রিয়া যা বিভিন্ন চক্রের কারণে সঠিক স্তর পুরুত্ব অর্জন করা সহজ করে তোলে।
• এইচএফসিভিডি পদ্ধতি। এখানে, সাধারণ কাজের তাপমাত্রা 150-1100 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড

রাসায়নিক বাষ্প জমা (সিভিডি) এখনও গ্রাফিন উত্পাদন করার সবচেয়ে কার্যকর উপায়। তবুও, 100 শতাংশ অনুকূল নয়। অতএব, প্রক্রিয়াটি উন্নত করতে এবং নির্ভরযোগ্য বড় আকারের উত্পাদন সক্ষম করার জন্য বিভিন্ন সিভিডি পদ্ধতি বিকাশ অব্যাহত রয়েছে।